Литье пластмассы

Размер межламелярной области, занятой складками молекул, образующими поверхность, концами цепей и проходными молекулами, определяется условиями кристаллизации и увеличивается при повышении температуры, молекулярной массы. С ростом молекулярной массы возрастают перепутанность длинных цепей и кинетические затруднения в образовании термодинамически равновесных складок при литье пластмасс. Тем неменее плотность межламеляр ных зон гораздо выше плотности расплава 0,89 против 0,84 г-см³.

Вопрос о структуре межламелярного пространст­ва также важен, поскольку от нее зависят многие свойства полимеров.

Для описания реального кристалла с нерегулярным складыванием цепей Флори предложил использовать модель распределительного вала.

Кроме дефектов складывания возникают и другие, харак­терные для состояния, промежуточного между жидкостями и кристаллами, для описания которых используется концепция паракристалличности. В паракристалле размеры элементарной ячейки статически изменяются от ячейки к ячейке . Эти флуктуации возрастают с увеличением расстояния при изготовление пресс-форм, что при­водит к перекрыванию расстояний смежных точек решетки и исчезновению дальнего порядка.

Отклонение мотивов от их идеальных положений в кристал­лической решетке называют дефектами первого рода. Тепловое движение всегда создают дефекты такого типа.

Мгновенное расположение колеб­лющихся мотивов по отношению к их равновесному положению в решетке. При наличии таких дефектов первого рода дальний порядок все же сохраняется. Среднеквадратическое отклонение постоянно для всех значений . Паракристаллические же дефекты второго рода появляются в том случае, когда откло­нение каждого мотива зависит лишь от положения соседних мо­тивов, а не от смещения из идеальных положений в решетке .

В тех случаях, когда периодичность кристалла прерывается в каком-либо направлении, появляются дислокации, которые можно отнести к категории линейных дефектов. Обычно разли­чают два вида дислокации - краевые и винтовые при литье пластмасс. Краевая дисло­кация, называемая дислокацией Тейлора - Орована, может быть получена путем частичного введения добавочной плоскости в кристалл. Линейный вектор d краевой дислокации (линейной) направлен вдоль кромки добавочной плоскости. Винтовая дис­локация, называемая также дислокацией Бюргерса, образуется смещением части кристалла по отношению к оставшейся. Ли­нейный вектор d винтовой дислокации отмечает линию оконча­ния смещения. Кроме линейного вектора дислокации характеризуются так называемым «вектором Бюргерса», определяющим их размер.

12/17/2012 9:02:06 PM